隨著5G NR通訊進(jìn)入深度覆蓋期，5G微站崛起正當(dāng)時(shí)。5G相對(duì)于4G在頻率和帶寬上都有較大的提高，在給客戶帶來更高速、更流暢的服務(wù)同時(shí)也面臨著更大的傳輸損耗和更差的穿透。運(yùn)營商會(huì)根據(jù)用戶覆蓋和網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化的需求，采用宏基站+微基站的方式實(shí)現(xiàn)更低成本和更好體驗(yàn)的5G網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)。在5G時(shí)代，宏基站與微基站的建設(shè)都非常重要。據(jù)相關(guān)的資料顯示，國內(nèi)5G建設(shè)期間至少需求1000萬個(gè)5G微站。

英嘉通半導(dǎo)體響應(yīng)國家5G新基建的號(hào)召，為5G新動(dòng)能賦能。剛剛完成了首款應(yīng)用于5G微站射頻PA芯片。產(chǎn)品采用了Doherty結(jié)構(gòu)，兼顧高效率和高線性度，并有較強(qiáng)的系統(tǒng)穩(wěn)定性和抗干擾能力。產(chǎn)品可適用于使用DPD(數(shù)字預(yù)失真)的微基站系統(tǒng)。采用了優(yōu)化的LGA5*5mm封裝結(jié)構(gòu)。

該產(chǎn)品覆蓋3.3-3.6Ghz，采用成熟的GaAs HBT工藝，通過LGA封裝，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了50歐姆的輸入和輸出匹配，支持5G Bands 22, 42, n77, and n78，支持100MHz高帶寬。主要的指標(biāo)如下：

該產(chǎn)品已經(jīng)完全達(dá)到了國外競(jìng)品的水平。英嘉通充分利用國產(chǎn)化的產(chǎn)業(yè)鏈資源，將繼續(xù)打造具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的射頻PA芯片，后續(xù)英嘉通還會(huì)陸續(xù)推出其他頻段的產(chǎn)品，形成系列化的國產(chǎn)替代。