GaN TO系列
GaN TO系列

英嘉通TO腳位封裝系列氮化鎵功率器件,可提供能夠pin-to-pin完全兼容傳統(tǒng)Si MOS以及市面主流氮化鎵器件兩種腳位封裝類型產(chǎn)品。器件采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu),依靠高柵極可靠性、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、高性價(jià)比,為客戶提供良好的應(yīng)用體驗(yàn);整機(jī)效率更高,性能更好,已在PD快充、適配器等多個(gè)領(lǐng)域批量出貨,受到客戶青睞。

GaN DFN系列
GaN DFN系列

英嘉通DFN系列氮化鎵功率器件,集合了氮化鎵寬禁帶,高擊穿場強(qiáng),高電子遷移率等材料特點(diǎn),以及級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)自身的高閾值電壓,高可靠性和低米勒電容等結(jié)構(gòu)特點(diǎn),通過DFN5X6, DFN8X8等多種低寄生,小體積的封裝形勢,以高可靠性,簡單的外圍設(shè)計(jì)為客戶呈現(xiàn)氮化鎵功率器件高開關(guān)頻率,低損耗等優(yōu)勢;整機(jī)尺寸、效率、成本等綜合表現(xiàn)獲得市場認(rèn)可。

GaN TO 系列
Part number

VDS_MAX

(V)

RON_TYP

(mΩ)

(V)

ID,PULSE

(A)

VTH_TYP

(V)

VGS_MAX

(V)

QG

(nC)

Package

pin

Datasheet

IGC6C100DAD

650

100

49

4

±20

16

TO220

G,S,D

IGC6C100DFD

650

100

49

4

±20

16

TO220F

G,S,D

IGC6C100STD

650

100

49

4

±20

16

TO252

G,S,D

IGC6C100DA

650

100

49

4

±20

16

TO220

G,D,S

IGC6C100DF

650

100

49

4

±20

16

TO220F

G,D,S

IGC6C175DAD

650

175

57

4

±20

20

TO220

G,S,D

IGC6C175STD

650

175

37

4

±20

6.9

TO252

G,S,D

IGC6C225STD

650

225

21

4

±20

6.1

TO252

G,S,D

IGC6C225ST

650

225

21

4

±20

6.1

TO252

G,D,S

IGC6C310STD

650

310

25

1.8

±20

5.5

TO252

G,S,D

IGC6C310ST

650

310

20

4

±20

5.5

TO252

G,D,S

IGC6C480STD

650

480

12.3

4

±20

6.5

TO252

G,S,D

IGC6C480ST

650

480

12.3

4

±20

6.5

TO252

G,D,S

IGC6C675STD

650

675

8

4

±20

6.2

TO252

G,S,D

IGC6C675ST

650

675

8

4

±20

6.2

TO252

G,D,S

IGC6C1K0STD

650

1000

5.4

3.5

±20

7.8

TO252

G,S,D

IGC6C1K0ST

650

1000

5.4

3.5

±20

7.8

TO252

G,D,S

GaN DFN 系列
Part number

VDS_MAX

(V)

RON_TYP

(m?)

ID,PULSE

(A)

VTH_TYP

(V)

VGS_MAX

(V)

QG

(nC)

QOSS

Package

Datasheet

IGC6012E

650

100

49

4

±20

16

45

DFN8×8

IGC6011E

650

135

41

4

±20

15

34.5

DFN8X8

IGC6022E

650

225

24

4

±20

6.1

30

DFN8X8

IGC6021E

650

225

18.1

1.8

±20

6

27

DFN8X8

IGC6021S

650

225

19

1.8

±20

5.6

27

DFN5X6

IGC6041

650

475

19

1.8

±20

15

20.5

DFN5X6