英嘉通TO腳位封裝系列氮化鎵功率器件，可提供能夠pin-to-pin完全兼容傳統(tǒng)Si MOS以及市面主流氮化鎵器件兩種腳位封裝類型產(chǎn)品。器件采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，依靠高柵極可靠性、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、高性價(jià)比，為客戶提供良好的應(yīng)用體驗(yàn)；整機(jī)效率更高，性能更好，已在PD快充、適配器等多個(gè)領(lǐng)域批量出貨，受到客戶青睞。

英嘉通DFN系列氮化鎵功率器件，集合了氮化鎵寬禁帶，高擊穿場強(qiáng)，高電子遷移率等材料特點(diǎn)，以及級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)自身的高閾值電壓，高可靠性和低米勒電容等結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，通過DFN5X6, DFN8X8等多種低寄生，小體積的封裝形勢，以高可靠性，簡單的外圍設(shè)計(jì)為客戶呈現(xiàn)氮化鎵功率器件高開關(guān)頻率，低損耗等優(yōu)勢；整機(jī)尺寸、效率、成本等綜合表現(xiàn)獲得市場認(rèn)可。