新年伊始,英嘉通半導(dǎo)體推出首款65 W氮化鎵PD快充設(shè)計方案。方案采用英嘉通650 V增強型氮化鎵功率器件IGC6E01R0,為Ingacom HybridGaN TM?系列器件之一。該器件具有低導(dǎo)通電阻,低寄生電容等特點,適用于高頻高電壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,并進(jìn)一步提升功率密度。

方案搭載主流的安森美NCP1342作為初級主控芯片,高工作頻率,滿足小體積高功率密度需求。次級同步整流部分使用MPS MP6908A搭配恒泰柯 HGN080N10AL 100 V MOS為用戶提供輸出功率。



方案整體體積僅為30 mm X 19 mm X 19 mm,具有高功率密度、高效率(峰值效率 > 93 %)、低待機(jī)功耗(待機(jī)功耗 < 60 mW)等特點,220 V AC下氮化鎵功率器件IGC6E01R0溫升表現(xiàn)良好,安全可靠。同時支持多種充電協(xié)議,性能參數(shù)比肩現(xiàn)有商用65 W氮化鎵快充產(chǎn)品。目前器件各項參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)及可靠性已驗證完成,預(yù)計2021年第一季度正式推出。